概要

試料表面を電子線で走査し、その際に発生する2次電子から試料の微小表面の凹凸を画像化する装置です。

主な仕様

• 電界放出形電子銃　
• 二次電子分解能：1.0nm（15kV）、1.4nm（1kV）
• 倍率：×25～1,000,000　加速電圧：0.1～30kV　・ジェントルビーム
• オプション：リトラクタブル反射電子検出器(RBEI)、エネルギー分散形X線分析装置(EDS)