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高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 - 名古屋大学次世代バイオマテリアル拠点
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高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 - 名古屋大学次世代バイオマテリアル拠点
・高温でのCl2,BCl3プラズマエッチングプロセス
・基板温度:200℃-600℃
・使用ガス:Cl2,Ar,N2,BCl3,O2
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2024年9月30日
BioJapan2024に出展いたします。