高精度電子線描画装置 - 名古屋大学次世代バイオマテリアル拠点

・分解能：1.2 nm(30kV)
・倍率：×10～×1,000,000
・試料室：最大200 mm
・描画方式：ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式
・描画フィールド：50 µm□/100 µm□/200 µm□/500 µm□（ラスタースキャン），
2,500 µm□，1ブロック＝2.5 µm□（ブロックスキャン）