スパッタリング装置 - 名古屋大学 次世代バイオマテリアル・拠点

スパッタリング装置

・ターゲット：SiO2，Cr，Au
・膜厚分布：Φ100 mm内±3％
・基板ホルダー：Φ200 mm
・基板加熱：Max 300℃（水冷付）

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