プラズマCVD装置

・基板加熱:抵抗加熱式(~400℃) ・適正ウェハ寸法:不定形~3インチ径 ・……

8元MBE装置

・蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個 ・試料サイズ30mm角 ・高圧電……

RIEエッチング装置

・シリコン系エッチング ・対応基板サイズ:最大8インチ ・プロセスガス:CF4,……